特許

J-GLOBAL ID：200903095285046935

半導体集積回路装置の製造方法、半導体ウエハの製造方法および半導体ウエハ

発明者： 村松 尚 ,  田中 利秀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050886
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251273
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 適度な裏面粗さを持ち、かつ、平坦性の高い半導体ウエハを製造する。【解決手段】 ラッピング処理工程(工程100)後の半導体ウエハに対して、酸性のエッチング溶液を用いた両面エッチング処理を施した後(工程102)、アルカリ性のエッチング溶液を用いた両面エッチング処理を施す(工程103)。

請求項（抜粋）：

(a)半導体インゴットから半導体ウエハを切り出す工程と、(b)前記半導体ウエハに対してラッピング処理を施す工程と、(c)前記ラッピング処理工程後の半導体ウエハに対して第1の洗浄処理を施す工程と、(d)前記第1の洗浄処理工程後に前記半導体ウエハに対して酸性のエッチング溶液を用いてエッチング処理を施す工程と、(e)前記第1の洗浄処理工程後に前記半導体ウエハに対してアルカリ性のエッチング溶液を用いてエッチング処理を施す工程と、(f)前記工程(d)および工程(e)の後の半導体ウエハに対して第2の洗浄処理を施す工程と、(g)前記第2の洗浄処理工程後の半導体ウエハに対してポリッシング処理を施す工程と、(h)前記ポリッシング処理工程後の半導体ウエハに所定の半導体集積回路素子を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 622 Q