特許

J-GLOBAL ID：200903095287683886

ホトダイオードおよびその製造方法

発明者： フェン・チェン ,  ロジャー・エイム・デュフレズネ ,  バオチェン・リー ,  アルヴィン・ウェーン・ストロング
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-282178
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158364
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 バイアスをかけて照明を当てると、光誘起の負の微分抵抗領域を示すホトダイオードを提供すること。【解決手段】 このホトダイオードは、N+シリコン基板、N+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層、および再酸化窒化物層の少なくとも一部分上に形成されたN+ポリシリコン層を含む。

請求項（抜粋）：

N+シリコン基板と、前記N+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層と、前記窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層と、前記再酸化層の少なくとも一部分の上に形成されたN+ポリシリコン層とを備えるホトダイオードであって、前記N+シリコン基板に前記N+ポリシリコン層に対して正のバイアスをかけて前記ホトダイオードに照明を当てると、負の微分抵抗領域を示すホトダイオード。

Fターム (4件)：

5F088AA01 ,  5F088AB01 ,  5F088CB03 ,  5F088CB10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭54-062787
  
• 特開平1-239975
  
• 特開平2-054973