特許
J-GLOBAL ID：200903095287949738
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187808
公開番号（公開出願番号）：特開平11-025681
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】1つのメモリセルに数ビットのデータを記憶させることが可能な不揮発性半導体記憶装置の照合判定方式を提供する。【解決手段】書込前データが“0”のメモリセルにデータ“1”を書き込む時、照合判定回路でPASSとする多値の書き込み時において、オーバーライト時、書き込み前データが“10”のメモリセルに“01”のデータを書き込む際、書込データ“01”を“00”に変換することで、書込前データ“10”にデータ“01”に書き込むときの期待値“00”にするように書込動作を行う。これにより、2値と同様に書込前データ“0”にデータ“1”を書き込むときはデータ“0”のままであるという互換を持たせることが可能となる。
請求項（抜粋）：
1つのメモリセルにmビット以上(m≧2)のデータを記憶させ、書込時にしきい値電圧を上昇させ、4からn種類(n≧4)のしきい値電圧を持たせる不揮発性半導体記憶装置において、mビット中kビット(1≦k≦m)の書込前データが“0”を有するメモリセルに、書込データ“1”を書き込む時、前記書込データ“1”をデータ“0”に変換する、ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 C
