特許

J-GLOBAL ID：200903095298123211

太陽電池の製造方法および太陽電池

発明者： 松本 聡 ,  金井 康通
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 中辻 史郎 ,  酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137041
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311425
出願日： 2006年05月16日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】電極抵抗を低減し、太陽電池を高効率化すること。【解決手段】p型の導電型を有するp型半導体基板1の第1主面側にn型半導体層2を形成して多層構造体を形成し、第1の電極である金属電極7bをp型半導体基板1の第2主面側に、光を透過する第2の電極である透明電極3をn型半導体層2上に形成する。さらにp型半導体基板1およびn型半導体層2を貫通して透明電極3に至るスルーホール5を形成し、p型半導体基板1の第2主面側に形成された裏面電極である金属電極7aによって電流を裏面から取り出すことができるようにする。ここで透明電極3を形成した後にスルーホール5を開孔し、金属電極7aの形成時にスルーホール5の内部を金属で完全に埋め込むことで、スルーホール5内の抵抗値を低くする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型半導体とp型半導体とを含む多層構造体を第1の電極と光を透過する第2の電極とで挟んでなる太陽電池の製造方法であって、 基板の第1主面側に前記第2の電極を形成する第2電極形成工程と、 少なくとも前記基板を貫通して当該基板の第2主面側から前記第2の電極に至るスルーホールを開孔する開孔工程と、 前記スルーホールを金属で埋め込むとともに前記基板の第2主面側に金属電極を形成する金属電極形成工程と、 を含んだことを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (10件)：

5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA16 ,  5F051FA17 ,  5F051FA24 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15