特許

J-GLOBAL ID：200903095300260469

半導体装置

発明者： 唐澤 眞之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164415
公開番号（公開出願番号）：特開2001-343428
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 テスト時間を短くしてテスト効率を高くし、かつ、専用の出力端子を設ける必要のない半導体装置を実現する。【解決手段】 試験対象であるn個のインバータバッファ141それぞれに対応してn個のスイッチ素子131を設け、対応するバッファの入力端子と出力端子とをテスト入力端子2に入力されるテスト信号に応じて短絡する。この短絡時において入力端子1-1〜1-nから導出される電圧値をそのバッファの閾値とする。【効果】 全バッファを同時に試験できるので、テスト時間を短くしてテスト効率を高めることができる。また、入力端子をそのまま観測用に用いているので、専用の出力端子を設ける必要がない。

請求項（抜粋）：

試験対象であるn個(nは自然数、以下同じ)のバッファ回路と、前記バッファ回路それぞれに対応して設けられ対応するバッファ回路の入力端子と出力端子とを外部制御信号に応じて短絡するn個のスイッチ素子を含み、前記スイッチ素子によって入力端子と出力端子とが短絡されたバッファ回路の入力端子からそれぞれ導出される電圧レベルに基づいて該バッファ回路の閾値を検出するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G01R 31/28 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/00

FI (3件)：

H03K 19/00 B ,  G01R 31/28 V ,  H01L 27/04 T

Fターム (21件)：

2G032AA01 ,  2G032AB01 ,  2G032AC03 ,  2G032AE07 ,  2G032AE11 ,  2G032AG10 ,  2G032AK15 ,  2G032AL05 ,  5F038BE05 ,  5F038DF17 ,  5F038DT02 ,  5F038DT04 ,  5F038DT08 ,  5F038DT15 ,  5F038EZ20 ,  5J056AA01 ,  5J056BB02 ,  5J056BB53 ,  5J056BB60 ,  5J056CC00 ,  5J056FF10