半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344075
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176535
出願日： 1993年12月18日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】マスクや薄膜形成用の大掛かりな設備を必要としない、簡便で容易な方法によつてバンプ形成できるようにする。【構成】半導体装置1上に銅ワイヤ5によるボールボンデイング方法によつて銅バンプ7を形成し、銅バンプ7の表面へ無電解はんだめつき8を付着させる。

請求項（抜粋）：

半導体装置に対してバンプを形成する半導体装置の製造方法において、半導体装置上に銅ワイヤによるボールボンデイングによつて銅バンプを形成し、上記銅バンプ表面に対して無電解はんだめつきによつてはんだを付着させ、上記銅バンプを中心に有するはんだバンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 F , H01L 21/92 C

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