特許

J-GLOBAL ID：200903095306231649

化合物半導体膜の製造方法

発明者： 戸田 誠
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053314
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】簡便な手法で且つ低コストの化合物半導体太陽電池の光吸収層を形成する化合物半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板上にIb族元素単体の微粉末、VIb族元素単体の微粉末およびIIIb族元素を含む有機金属塩よりなる分散溶液、例えばCu及びSeの微粉末とInのアセチルアセトナートを含み且つ微粉末が沈降しないように増粘剤を添加したトルエン溶剤の分散液を簡便な塗布法である、例えばディッピング法やロールコーター法で被着し、その後窒素雰囲気のような不活性気体中もしくは還元雰囲気で熱処理をしIb-IIIb-VIb2系の カルコパイライト構造、例えばCuInSe2膜を形成することを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

Ib族元素の微粉末、VIb族元素の微粉末、およびIIIb族元素の有機金属塩を含む分散液を導電性の基板に被着する工程と非酸化性雰囲気中で加熱処理する工程より化合物半導体膜を形成することを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/368

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/368

Fターム (17件)：

5F051AA10 ,  5F051CB11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053BB09 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH05 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK10 ,  5F053LL05 ,  5F053RR13