特許
J-GLOBAL ID：200903095313275740
低温度共焼成セラミツク中のストリツプラインシールド構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067519
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095209
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、一体化多層回路構造中のストリップライン導体のシールドを行うためのシールド構造を得ることを目的とする。【構成】 複数の絶縁層Lと、ストリップライン導体111Aをシールドする側壁表面21A とを有する一体化多層回路構造において、一体化多層回路構造Aの底面上に形成された下側接地面金属層11A と、予め定められた絶縁層間に形成された埋設接地面金属層31A と、下側接地面11Aと埋設接地面金属層31A の間に電気的に接続され、ストリップラインの片側に配置されてその長さに沿って延在する第1の導電手段21A と、下側接地面と埋設接地面金属層の間に電気的に接続され、ストリップラインの反対側に配置されてその長さに沿って延在するビアホールの列により構成された第2の導電手段41A,43A とを具備していることを特徴とする。第1の導電手段もビアホールの列により構成することができる。
請求項（抜粋）：
複数の絶縁層と、底面と、ストリップライン導体をシールドする側壁表面とを有する一体化多層回路構造中のストリップラインシールド構造において、一体化多層回路構造の底面上に形成された下側接地面金属層と、一体化多層回路構造の予め定められた絶縁層間に形成された埋設接地面金属層と、前記下側接地面と前記埋設接地面金属層の間に電気的に接続され、ストリップラインの片側に配置されてその長さに沿って延在する第1の導電手段と、前記下側接地面と前記埋設接地面金属層の間に電気的に接続され、ストリップラインの反対側に配置されてその長さに沿って延在する第2の導電手段とを具備していることを特徴とするストリップラインシールド構造。
IPC (3件)：
H01P 3/08
, H05K 3/46
, H05K 9/00
