特許
J-GLOBAL ID：200903095314894843
積層配線形成用スパッタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206063
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 スループットを向上させ、自然酸化膜の生成を抑える。【構成】 トランスファーチャンバ4に、半導体ウエハの金属膜表面に後処理を施す後処理チャンバ11を気密通路を介して接続した。スパッタチャンバ5と後処理チャンバ11との間での半導体ウエハの受け渡しがトランスファーチャンバ4を介して行なわれる。積層配線を形成するに当たり半導体ウエハは装置外に搬送されなくなり、成膜工程を真空連続処理にて行なうことができる。このため、スループットが向上すると共に、半導体ウエハが大気に晒されることがなくなって制御性,再現性の高い界面制御が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに金属膜を形成するスパッタチャンバを備え、このスパッタチャンバに半導体ウエハ出し入れ用移載装置が気密通路を介して接続された積層配線形成用スパッタ装置において、前記移載装置に、この移載装置によって半導体ウエハが出し入れされかつ半導体ウエハの金属膜表面に後処理を施す後処理チャンバを気密通路を介して接続したことを特徴とする積層配線形成用スパッタ装置。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, H01L 21/203
, H01L 21/3205
