特許

J-GLOBAL ID：200903095317722857

半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法

発明者： 上田 禎亮
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193659
公開番号（公開出願番号）：特開2001-021446
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子の特性を効率的かつ高精度で測定可能な半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法を提供する。【解決手段】 半導体レーザ特性の測定装置は、半導体レーザ素子を載置するテストステージと、テストステージに載置された半導体レーザ素子に電力を供給するための電力供給部と、供給された電力に基づいて半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出力を測定する光出力測定部と、前記レーザ光の偏光を測定する偏光測定部とを備え、これら測定部のそれぞれがレーザ光を受光する受光素子を有し、テストステージは、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光がそれぞれの受光素子で受光されるようテストステージを変位させるステージ変位手段を有する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子を載置するテストステージと、テストステージに載置された半導体レーザ素子に電力を供給するための電力供給部と、供給された電力に基づいて半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出力を測定する光出力測定部と、前記レーザ光の偏光を測定する偏光測定部とを備え、これら測定部のそれぞれがレーザ光を受光する受光素子を有し、テストステージは、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光がそれぞれの受光素子で受光されるようテストステージを変位させるステージ変位手段を有することを特徴とする半導体レーザ特性の測定装置。

IPC (4件)：

G01M 11/00 ,  G01J 1/02 ,  G01J 4/00 ,  H01S 5/042

FI (4件)：

G01M 11/00 T ,  G01J 1/02 K ,  G01J 4/00 ,  H01S 3/18 626

Fターム (18件)：

2G065AA04 ,  2G065AA20 ,  2G065AB02 ,  2G065AB09 ,  2G065AB10 ,  2G065AB18 ,  2G065BA09 ,  2G065BB10 ,  2G065BB31 ,  2G086EE02 ,  2G086EE03 ,  2G086EE08 ,  2G086EE09 ,  5F073BA06 ,  5F073HA04 ,  5F073HA07 ,  5F073HA10 ,  5F073HA11