特許

J-GLOBAL ID：200903095319377391

半導体装置のタングステン基焼結合金製放熱構造部材

発明者： 植村 雄三 ,  山本 辰夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152967
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326765
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 高強度を有する半導体装置の放熱構造部材を提供する。【構成】 半導体装置の放熱構造部材であるヒートシンク材や基板などを、W粒子同志が相互に隣接接合してなる骨格構造を有し、この骨格構造部分の割合が全体に占める割合で84〜88重量を占め、残りが前記W粒子間を埋めるCu合金からなるとともに、前記Cu合金が、実質的に重量%で、Ni:20〜30%、FeおよびCoのうちの1種または2種:0.5〜10%、Cu:残りの組成[ただしNiと(Feおよび/またはCo)の合量:30.5%以下]を有してなるW基焼結合金で構成する。

請求項（抜粋）：

タングステン粒子同志が相互に隣接接合してなる骨格構造を有し、この骨格構造部分の割合が全体に占める割合で84〜88重量%を占め、残りが前記タングステン粒子間を埋めるCu合金からなるとともに、前記Cu合金が、実質的に、重量%で、Ni:20〜30%、FeおよびCoのうちの1種または2種:0.5〜10%、Cu:残り、の組成[だだしNiと(Feおよび/またはCo)の合量:30.5%以下]を有してなるタングステン基焼結合金で構成したことを特徴とする半導体装置のタングステン基焼結合金製放熱構造部材。

IPC (4件)：

H01L 23/373 ,  C22C 1/00 ,  C22C 1/04 ,  C22C 27/04 101