特許

J-GLOBAL ID：200903095321823285

半導体発光装置の製法

発明者： 佐野 武志 ,  塚越 功二
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-336383
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141561
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 量産性に優れる光波長変換型の半導体発光装置を容易に製造する。【解決手段】熱可塑性の樹脂により形成された基体(1)と、基体(1)上に形成された蛍光体層(2)とを有する蛍光体チップ(3)を準備し、蛍光体チップ(3)を支持部材(6)に配置すると共に、蛍光体チップ(3)上に発光半導体チップ(5)を配置する。その後、基体(1)を加熱して基体(1)の溶融により蛍光体チップ(3)の蛍光体層(2)及び発光半導体チップ(5)を支持部材(6)に接着する。蛍光体チップ(3)を予め形成するので、蛍光体チップ(3)内の蛍光体の量及び密度が均一になり、半導体発光装置の発光色が均質になる。

請求項（抜粋）：

熱可塑性の樹脂により形成された基体と、該基体上に形成された蛍光体層とを有する蛍光体チップを準備する工程と、前記蛍光体チップを支持部材に配置すると共に、前記蛍光体チップ上に発光半導体チップを配置する工程と、前記基体を加熱して前記基体の溶融により前記蛍光体チップの蛍光体層及び前記発光半導体チップを前記支持部材に接着する工程とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 21/52 E ,  H01L 21/52 D ,  H01L 23/28 D

Fターム (20件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01 ,  5F041AA14 ,  5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F041EE25 ,  5F047AA01 ,  5F047BA37 ,  5F047BB01 ,  5F047CA01