特許
J-GLOBAL ID：200903095321845076
液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250605
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092840
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】薄膜トランジスタの特性の劣化、液晶表示の際の表示ムラの低減、信号線の断線の防止。【解決手段】絶縁性基板11上に設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、そのソース・ドレイン電極18,19及び信号線20が、少なくともその最下層が高融点金属もしくは高融点金属よりなる合金のシリサイド膜16であり、このシリサイドに隣接する上層が前記高融点金属(17)もしくは高融点金属よりなる合金もしくはこれらの窒化物である多層膜となっている。またシリサイド膜16をスパッタリング法により形成し、上層の金属膜17をフッ素系ガスもしくはこれを含む混合ガスでシリサイド膜途中まで行い、次にウェットエッチングした後、n型半導体層15をドライエッチングする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の表面を選択的に被覆するゲート電極、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して交差する島状のアンドープ半導体層及び前記アンドープ半導体層とそれぞれn型半導体層を介して接続された一対のソース・ドレイン電極を有する逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記絶縁性基板の表面を選択的に被覆し前記ゲート電極に接続された走査線と、前記逆スタガ型薄膜トランジスタの一対のソース・ドレイン電極の一方に接続され前記走査線と前記ゲート絶縁膜と同時に形成された層間絶縁膜を介して交差する信号線と、前記逆スタガ型薄膜トランジスタの一対のソース・ドレイン電極の他方に接続された画素電極とを有する液晶表示装置において、前記一対のソース・ドレイン電極及び信号線が高融点金属又は高融点金属合金のシリサイド膜及び前記シリサイド膜上に形成され前記高融点金属又は高融点金属合金でなる金属膜を含む多層膜であるとを特徴とする液晶表示装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3213
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 V
, G02F 1/136 500
, H01L 21/28 301 T
, H01L 21/88 C
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 616 K
