特許

J-GLOBAL ID：200903095322503470

半導体装置

発明者： 三本 敏雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322114
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177330
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【構成】 静電気保護素子6〜8を接地電源GNDと基板電源VBBとの間、並びに、各電源VCC及び入力端子2と接地電源GND又は基板電源VBBとの間に挿入する。【効果】 接地電源GNDとは別に基板電源VBBを供給する集積回路においても、静電気によって寄生ダイオード等に逆方向の高電圧が印加されて接合面が破壊されるようなことがなくなるので、静電気破壊強度を大幅に向上させることができるようになる。

請求項（抜粋）：

入出力の共通電位を供給する接地電源と、該接地電源の電位に対して正又は負のいずれか一方の電位を供給する1以上の電源とが、外部から供給され、基板電源が該接地電源の該電位に対して該1以上の電源の該電位とは逆極性の電位を基板に供給する半導体装置であって、所定以上の逆方向電圧に対して降伏電流を通過させる静電気保護素子が、該接地電源と該基板電源との間、並びに、各電源及び入出力端子と該接地電源又は該基板電源との間に挿入された半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-049260
  
• 特開平4-259251
  
• 特開平3-218678