特許

J-GLOBAL ID：200903095324978883

トレンチ内のカラ-酸化物の形成方法

発明者： ムニル・デー・ナエム ,  マシュー・ジェイ・センデルバック ,  ティンハオ・ワン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015289
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265882
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 共形酸化物層を選択的にエッチングして、半導体基板のトレンチ内にカラー酸化物を形成する方法を提供する。【解決手段】 (1)トレンチと、(2)(i)トレンチを部分的に充填する充填材料で画定される充填表面、(ii)トレンチの外側の上部表面、および(iii)充填材料で覆われていないトレンチ側壁表面と、(3)上部表面、側壁表面および充填表面上にある共形酸化物層とを有する半導体基板において、(a)基板を反応性イオン・エッチング条件下で水素含有フルオロカーボンと酸素供給源との混合物と接触させ、次いで(b)反応性イオン・エッチング条件下で水素を含有しないフルオロカーボンと希釈用ガスの混合物に接触させて、選択的に上部表面および充填表面をオーバ・エッチし、一方、側壁上には共形酸化物の大部分を残してカラー酸化物を形成する。

請求項（抜粋）：

(1)部分的に充填されたトレンチと、(2)(i)前記トレンチを部分的に充填する充填材料で画定される充填表面、(ii)前記トレンチの外側の上部表面、および(iii)前記充填材料で覆われていないトレンチ側壁表面と、(3)前記充填表面、上部表面、および側壁表面の上にある共形酸化物層とを有する半導体基板のトレンチ内にカラー酸化物を形成する方法であって、前記共形酸化物を選択的にエッチングすることを含み、該共形酸化物エッチングは、(a)前記上部表面上の共形酸化物の少なくとも一部が除去されるまで、前記基板を反応性イオン・エッチング条件下で水素含有フルオロカーボンと酸素源ガスとの混合物と接触させること、および(b)ステップ(a)を経た前記基板を反応性イオン・エッチング条件下で水素を含有しないフルオロカーボンと希釈用ガスとの混合物と接触させて、前記充填表面に残存している共形酸化物をさらに除去し、かつ前記上部表面および充填表面をオーバ・エッチし、それにより大部分の前記共形酸化物を前記側壁表面上に残して前記カラー酸化物を形成することを含む、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 27/10 625 A