特許
J-GLOBAL ID：200903095334033526
個々の粒子の表面特性を変質させるための粉末粒子処理の装置とプロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-513027
公開番号（公開出願番号）：特表平8-506045
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】粉末粒子の表面特性を変質させるために粉末粒子を低温プラズマ処理するための装置であって、低圧領域を発生させる手段と、これに関連し、前記低圧領域に向けたプラズマ・トーチを形成する少なくとも1つのカスケード・アーク・トーチ発生器と、処理するために重力によって粉末粒子を前記低圧領域内に供給する手段と、前記低圧領域から処理粉末粒子を除去するための導管手段とを含み、前記カスケード・アーク発生器が、前記プラズマ・トーチが前記低圧領域に、水平に対して約0から60°の下向き角度(α)で入るような配向を有し、前記導管手段が、前記プラズマ・トーチから水平に対して約-80°から約+80°間での上向き角度(β)で離れる方向を有する装置。粉末粒子を低温プラズマ処理するプロセス。前記装置とプロセスは高い再現性と一様な粒子のサイズの分布を可能にする。
請求項（抜粋）：
粉末粒子の表面特性を変質させるために粉末粒子を低温プラズマ処理するための装置であって、低圧領域を発生させる手段と、これに関連し、前記低圧領域に向けたプラズマ・トーチを形成する少なくとも1つのカスケード・アーク・トーチ発生器と、処理するために重力によって粉末粒子を前記低圧領域内に供給する手段と、前記低圧領域から処理粉末粒子を除去するための導管手段とを含み、前記カスケード・アーク発生器が、前記プラズマ・トーチが前記低圧領域に、水平に対して約0から約60°の下向き角度(α)で入るような配向を有し、前記導管手段が、前記プラズマ・トーチから水平に対して約-80°から約+80°間での上向き角度(β)で離れる方向を有する装置。
IPC (5件)：
B01J 19/08
, B22F 1/00
, H01J 37/32
, H05H 1/42
, B01D 45/02
