半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160917
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130995
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【構成】ソース,ドレイン220領域に選択的に堆積または成長させた、イオン透過率の低い材料500をマスクにすることで、基板内部の高濃度不純物層200は、ソース,ドレイン220領域において存在せず、チャネル部およびゲート両脇部に形成される。【効果】チャネル部およびゲート両脇部に高濃度不純物層200が形成され、パンチスルーが抑制される。また、ソース,ドレイン220領域には高濃度不純物層200が存在しないため、寄生容量およびリーク電流を極限まで小さくできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極、また基板の導電型と異なる導電型を有する不純物拡散層をソース及びドレイン電極とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記基板中のゲート電極下に前記基板の不純物と同型で濃度が高い層をもち、不純物高濃度層がソース及びドレイン近傍に形成されていないことを特徴とする半導体装置。

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