気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-366537
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168650
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】比較的単純な機構によりながら、良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置と、それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の気相成長装置1は、枚葉式気相成長装置として構成されている。原料ガスGは、ガス導入口21から反応容器本体2内に導かれる。サセプタ12の周囲には堤部材23が配置されており、ガス導入口21からの原料ガスGは、堤部材23の外周面23bに当たって上面23a側に乗り上げた後、サセプタ12上に載置されたシリコン単結晶基板Wの主表面に沿って流れる仕組みである。ガス導入口21と堤部材23との間には、板状のバッフル26が配置される。バッフル26には、当該気相成長装置1を左右に2等分する基準平面αに関して非対称となるように、ガス流通孔26aが形成されている。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板の主表面にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置であって、水平方向における第一端部側にガス導入口が形成され、同じく第二端部側にガス排出口が形成された反応容器本体を有し、シリコン単結晶薄膜形成のための原料ガスが前記ガス導入口から前記反応容器本体内に導入され、該反応容器本体の内部空間にて略水平に回転保持される前記シリコン単結晶基板の前記主表面に沿って前記原料ガスが流れた後、前記ガス排出口から排出されるように構成され、前記内部空間内にて回転駆動される円盤状のサセプタ上に前記シリコン単結晶基板が配置される一方、前記サセプタを取り囲むとともに、上面が該サセプタの上面と一致する位置関係にて堤部材が配置され、さらに、前記ガス導入口は前記堤部材の外周面に対向する形にて開口し、該ガス導入口からの前記原料ガスが、前記堤部材の外周面に当たって上面側に乗り上げた後、前記サセプタ上の前記シリコン単結晶基板の主表面に沿って流れるように構成された気相成長装置において、前記反応容器本体の前記第一端部から前記サセプタの回転軸線と直交して前記第二端部に至る前記原料ガスの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線とし、該水平基準線と前記回転軸線との双方に直交する方向を幅方向とし、さらに、前記水平基準線を含み前記幅方向に垂直な平面を基準平面と定義したときに、前記ガス導入口と前記堤部材との間には、ガス流通孔が形成されたバッフルが配置され、前記ガス流通孔の形成形態が前記基準平面に関して非対称とされていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , C30B 29/06 504

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , C30B 29/06 504 C

Fターム (33件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB05 , 4G077EG24 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TG07 , 4G077TH10 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC19 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045CA01 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045DQ11 , 5F045EE20 , 5F045EF14 , 5F045HA02

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