特許
J-GLOBAL ID：200903095338134092
半導体積層モジュール
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184783
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007962
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 単体パッケージを三次元積層した場合においても、反りが生じたり、フリップチップ接続した半導体チップが剥離したり、半導体チップが薄厚のものであってもクラックが生じたりする虞のない半導体積層モジュールを提供する。【解決手段】 ベース基板13上に半導体チップ14を第1のチップ接着剤15で接着してなる複数の単体パッケージ12を、ベース基板13間を第1のチップ接着剤15と異なる基板接着剤18で接着して積層すると共に、最上部の単体パッケージ12上に上基板16を基板接着剤18で接着してなるもので、半導体チップ14が、該半導体チップ14上面に第1のチップ接着剤15と略同じ熱膨張係数を有する第2のチップ接着剤17を設けて、上側のベース基板13又は上基板18に接着されている。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体チップを第1の接着剤で接着してなる複数の単体パッケージを、前記基板間を前記第1の接着剤と異なる第2の接着剤で接着して積層すると共に、最上部の前記単体パッケージ上に上基板を前記第2の接着剤で接着してなる半導体積層モジュールにおいて、前記半導体チップが、該半導体チップ上面に前記第1の接着剤と略同じ熱膨張係数を有する第3の接着剤を設けて、上側の前記基板又は上基板に接着されていることを特徴とする半導体積層モジュール。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
