半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324554
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093680
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】半導体装置において、フィールド領域でのストレスの発生を防止し、アクティブ領域に転位が誘発されることを防止することにある。【解決手段】支持基板上に島状のアクティブ領域10を形成するステップと、アクティブ領域10の周囲を囲むようにフィールド領域20を形成するステップと、アクティブ領域10とフィールド領域20との境界において間隙部112を形成するステップと、間隙部112を形成した後に残留蒸発物を排出するためにフィールド領域20を熱処理するステップと、間隙部112を熱酸化して埋め込むステップと、を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

支持基板上に島状のアクティブ領域を形成するステップと、前記アクティブ領域の周囲を囲むようにフィールド領域を形成するステップと、前記アクティブ領域と前記フィールド領域との境界において間隙部を形成するステップと、前記間隙部を形成した後に、残留蒸発物を排出するために前記フィールド領域を熱処理するステップと、前記間隙部を熱酸化により埋め込むステップと、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/76 , H01L21/331 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L29/732

FI (5件)：

H01L21/76 N , H01L27/12 F , H01L27/12 S , H01L29/72 S , H01L21/76 D

Fターム (17件)：

5F003AZ01 , 5F003BA24 , 5F003BA96 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC01 , 5F003BE07 , 5F003BP06 , 5F003BP34 , 5F003BP96 , 5F003BS06 , 5F032AA01 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032CA18 , 5F032DA04 , 5F032DA33

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置における基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123456 出願人：コリアエレクトロニクスアンドテレコミユニケーシヨンズリサーチインステイテユート
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-298395 出願人：株式会社東芝
特開平3-198339

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審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-298395 出願人：株式会社東芝
特開平3-198339
特開平1-307241

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