特許

J-GLOBAL ID：200903095346112782

磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにその磁気抵抗効果素子を用いた磁気薄膜メモリ

発明者： 関口 芳信
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318351
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124717
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 エッチング工程時にトンネル障壁層の下部の磁性層や電極の構成材料がトンネル障壁層側部に付着することを低減し、電気的な短絡を回避する。【解決手段】 基板側電極層1、第1磁性層2、トンネル障壁層3及び第2磁性層4を順次積層した後、第2磁性層4の素子部22上にレジストパターン21を形成し、素子部22以外の第2磁性層4を一部残してエッチング除去する。次に、エッチング除去されずに残っている第2磁性層4をトンネル障壁層3に達するまで酸化して高抵抗化することで酸化物層6を形成し、十分な電気的分離を行うために全面をスパッタして絶縁層7を形成する。その後、素子部22の上面に窓を開け、上部電極5を形成する。

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、薄膜の絶縁体で形成されたトンネル障壁層と、第2磁性層とが順次積層された磁性トンネル接合を具備し、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に前記トンネル障壁層を介してトンネル電流を流す磁気抵抗効果素子において、前記第2磁性層を構成する材料の酸化物で形成された酸化物層と、前記酸化物層上に配置され、絶縁体で形成された絶縁層とが、前記第2磁性層の前記トンネル電流が流れる領域を限定するように配置されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12

Fターム (13件)：

5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5E049GC06