特許
J-GLOBAL ID：200903095346359257
セラミックス基板のスルーホール構造およびスルーホールセラミックス基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-286598
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120634
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 大電力用のセラミックス基板を提供する。大電力用セラミックス基板の簡便な製造方法を提供する。【構成】 セラミックス基板11のスルーホール12に金属ピン13を装填して表裏面の導体層15A,15Bの電気的接続を行う。詳しくは、AlN基板11の表裏面にアルミニウム板15A,15Bをアルミニウム系ろう材14A,14Bにより固着する。スルーホール12にはアルミニウム合金製のピン13を挿入しておく。このろう材14A,14Bを溶融してピン13と接合し、ピン13によりスルーホール12を埋めることにより表裏のアルミニウム板15A,15Bの導通を確保する。
請求項（抜粋）：
スルーホールが形成されたセラミックス基板と、このセラミックス基板の表裏両面にそれぞれ配設された一対の導体層と、上記スルーホール内に装填され、これらの一対の導体層同士を電気的に接続する導体と、を備えたことを特徴とするセラミックス基板のスルーホール構造。
IPC (3件)：
H05K 1/11
, H01L 23/12
, H05K 3/40
