不揮発性メモリ書き替え装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-039862
公開番号（公開出願番号）：特開2001-229014
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】通信プログラムの書き替えに失敗したとしても、外部ツールとの間で通信することができる不揮発性メモリ書き替え装置を提供する。【解決手段】ECU1は、フラッシュメモリ2とRAM3とマイコン4とを備える。フラッシュメモリ2は、記憶領域が複数ブロックA,B,C,Dに分割され、フラッシュ書き込みツール5と通信するための2つの通信プログラムを別々のブロックB,Cに格納する。マイコン4は、入力端子P1の電位レベルに応じて、2つの通信プログラムのうちいずれの通信プログラムによりフラッシュ書き込みツール5との通信を実施するかを選択する。マイコン4は、選択した通信プログラムを実行し、その実行した通信プログラムとは別の通信プログラムの書き替えを実施する。

請求項（抜粋）：

記憶領域が複数ブロックに分割され、外部ツールと通信するための複数の通信プログラムを別々のブロックに格納する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに格納される複数の通信プログラムのうち、外部ツールとの通信を実施する通信プログラムを選択するプログラム選択手段と、前記プログラム選択手段により選択された通信プログラムとは別の通信プログラムの書き替えを実施するプログラム書き替え手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性メモリ書き替え装置。

Fターム (3件)：

5B076AB17 , 5B076EA17 , 5B076EB03

引用特許：

出願人引用 (2件)

BIOS書き換え方法及び方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-131122 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-041568 出願人：富士通株式会社, 株式会社富士通東北エレクトロニクス

審査官引用 (2件)

BIOS書き換え方法及び方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-131122 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-041568 出願人：富士通株式会社, 株式会社富士通東北エレクトロニクス

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