特許

J-GLOBAL ID：200903095349265725

液晶表示装置

発明者： 神野 優志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031044
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220505
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 p-SiTFTを用いた駆動回路内蔵型液晶表示装置において、表示特性と信頼性の両方を向上する。【構成】 駆動電源電圧の高いレベルコンバータを、駆動電源電圧の低いシフトレジスタよりも高耐圧とするために、レベルコンバータを構成する素子のうち、最も劣化しやすい第1のn-chTFT(1)のみをLDD構造として、効率的に駆動回路部の高耐圧化を実現する。これにより、駆動能力及び駆動速度の低下を最小限に抑えながら、信頼性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に互いに交差して配置されたゲートライン群とドレインライン群、これらの各交差部に形成された薄膜トランジスタ群、及び、前記ゲートライン及びドレインラインを駆動する駆動回路部を有し、更に前記ドレインラインを駆動する前記駆動回路部は、多結晶シリコン薄膜トランジスタにより構成され、入力信号より前記ドレインラインへ印加すべき信号電圧のサンプリング動作を制御するシフトレジスタ部、及び、前記シフトレジスタの出力信号を増幅するレベルコンバータ部を有する液晶表示装置において、前記レベルコンバータは、前記シフトレジスタよりも高い電源電圧で駆動され、かつ、前記レベルコンバータを構成する多結晶シリコン薄膜トランジスタは、前記シフトレジスタを構成する多結晶シリコン薄膜トランジスタよりも耐圧が高くされていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (5件)：

G02F 1/133 505 ,  G02F 1/136 500 ,  G09G 3/36 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

G02F 1/133 505 ,  G02F 1/136 500 ,  G09G 3/36 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-195123
  
• 特開平3-259123
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262263   出願人：シヤープ株式会社