特許

J-GLOBAL ID：200903095354074288

半導体装置

発明者： 米田 豊
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 高野 明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-123015
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308110
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 強固な構造で寄生容量が低い電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板1に、ノンドープGaAs層2,ノンドープInGaAs層3,n型AlGaAs層4,n型GaAs層5をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極6及びドレイン電極7をAuGe/Ni/Au合金で形成している。このソース電極6ドレイン電極7を形成した基板にSiO2膜8を形成した後、ソース電極6とドレイン電極7の間を開口し、その開口を通してn型GaAs層5をエッチングしてリセス溝13を形成し、ゲート電極9を配設している。ここで、SiO2膜8はゲート電極9のソース電極6側の厚さよりドレイン電極7側の厚さが厚くなるように加工している。

請求項（抜粋）：

活性層が形成された半導体基板上に絶縁膜を堆積し、該活性層が形成された半導体基板上にソース電極とドレイン電極を形成し、ソース電極とドレイン電極の間の絶縁膜に開口を有し、該開口部にゲート電極が配設された半導体装置において、前記ドレイン電極側の絶縁膜が前記ソース電極側の絶縁膜より厚いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H

Fターム (10件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GV05