特許

J-GLOBAL ID：200903095354434616

単結晶SiCおよびその製造方法

発明者： 谷野 吉弥 ,  谷垣 輝之
出願人/特許権者： 日本ピラー工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233146
公開番号（公開出願番号）：特開2000-072598
出願日： 1998年08月19日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】【課題】 高純度であるとともに、不純物の混入による格子欠陥等の発生もなくて非常に高品質で、かつ、大型の単結晶SiCを非常に生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1とSi原子及びC原子により構成されるβ-SiC多結晶板3とを両者の対向面間に黒鉛層2を介在させて積層させた状態で、それら両板1,3を不活性ガス雰囲気、かつ、SiC飽和蒸気圧の雰囲気下で、α-SiC単結晶基板1側が低温に保たれるような温度勾配を持たせて熱処理することにより、β-SiC多結晶板2から昇華したSi及びC原子を黒鉛層2を通して低温のα-SiC単結晶基板1側に移動させ、α-SiC単結晶基板1の表面で再配列させてα-SiC単結晶基板1の結晶方位に倣った単結晶を一体に成長させる。

請求項（抜粋）：

表面の全域もしくは一部に黒鉛層を有するSiC単結晶基板の上にSi原子及びC原子により構成された多結晶板材を積層させた状態で、大気圧以下の不活性ガス雰囲気、かつ、SiC飽和蒸気雰囲気下で熱処理することにより、上記多結晶板材を構成するSi原子及びC原子を上記黒鉛層を通して上記SiC単結晶基板側に拡散移動させるとともに該SiC単結晶基板の表面で再配列させてSiC単結晶基板の結晶方位に倣った単結晶が一体に成長されていることを特徴とする単結晶SiC。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  C30B 1/08 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 1/08 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205

Fターム (42件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CA03 ,  4G077DA01 ,  4G077DA11 ,  4G077DB01 ,  4G077DB16 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077FA05 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC05 ,  5F045AD18 ,  5F045AE27 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045EK26 ,  5F045EK30 ,  5F045GH02 ,  5F045HA06 ,  5F103AA10 ,  5F103BB41 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103PP07 ,  5F103PP18 ,  5F103RR06