特許

J-GLOBAL ID：200903095357004736

半導体装置とその製造方法

発明者： 森田 茂
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375927
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207556
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】ボンディング工程でのボンディング剥れ等による不良を低減させた半導体装置と、その製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板11の主表面上に形成された絶縁膜12を介して形成されたパッド電極1を、ボンディングワイヤ2を接合する領域である平坦部21と、性能測定の際のプローブ針の接地領域である窪み16とに分離して形成する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、この主表面上に形成された絶縁膜を介してパッド電極が形成されている半導体装置であって、 前記パッド電極は、ボンディングワイヤを接合する接合領域と、性能測定の際のプローブ針の接地領域とに分離されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/66

FI (4件)：

H01L21/60 301N ,  H01L21/60 321Y ,  H01L21/66 E ,  H01L21/88 T

Fターム (25件)：

4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AD09 ,  4M106AD14 ,  4M106BA01 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ19 ,  5F033MM17 ,  5F033MM20 ,  5F033MM21 ,  5F033MM26 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX37 ,  5F044EE01 ,  5F044EE07