特許
J-GLOBAL ID:200903095360207273

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-156515
公開番号(公開出願番号):特開平8-046114
出願日: 1989年08月30日
公開日(公表日): 1996年02月16日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、従来の外部からの半田供給法によらずとも半導体装置を基板に十分な接合強度で半田接合し、実装することができるとともに、実装工程を簡略化できる半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。【構成】 本発明は、複数のリード6を備え、基板9の導体11に前記リード6が半田付けされて実装される半導体装置Hにおいて、前記リード6のそれぞれに実装用の厚さ15μm以上の厚膜半田メッキ8を形成してなるものである。
請求項(抜粋):
複数のリードを備え、基板の導体に前記リードが半田付けされて実装される半導体装置において、前記リードのそれぞれに実装用の厚さ15μm以上の厚膜半田メッキを形成してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/48
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭57-140884
  • 特開昭59-231844
  • 特開昭62-054945
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