特許

J-GLOBAL ID：200903095370281951

磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド

発明者： 金子 美実
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153103
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339640
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 静電破壊若しくは過渡電流破壊の発生を防ぐことが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果層2と、磁気抵抗効果層2に電流を与える一対の導電層4、4と、磁気抵抗効果層2に積層され、所定の温度まで加熱されると電気抵抗が減少して絶縁体から導体に変化する電流バイパス層5、6とを具備してなる磁気抵抗効果素子1を採用する。磁気抵抗効果層に過電流が流れたときに、電流バイパス層5、6が加熱されて絶縁体から導体に変化し、磁気抵抗効果層2に流れていた過電流が電流バイパス層迂回して流れ、磁気抵抗効果層の発熱を防いで、静電破壊若しくは過渡電流破壊の発生が防止される。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果層と、該磁気抵抗効果層の両側に設けられて、前記磁気抵抗効果層に電流を与える一対の導電層と、前記磁気抵抗効果層に積層され、所定の温度まで加熱されると電気抵抗が減少して絶縁体から導体に変化する電流バイパス層とを具備してなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 U

Fターム (10件)：

5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA21 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106933   出願人：富士通株式会社