特許
J-GLOBAL ID：200903095374619965
薄膜ELパネルのタングステン電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047821
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267659
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 絶縁耐圧の高い逆構造の薄膜ELパネルのW電極の形成方法を提供すること。【構成】 石英の基板30を設置した真空槽内の到達真空度を8×10-7Torrにした後、真空槽内にArガスを導入し、Ar雰囲気中でスパッタリングして、基板30上にW電極膜32を形成する。W電極膜のスパッタ条件はArガス圧を2×10-2Torr、スパッタパワ-を0.3〜2.0kWとする。次に、W電極膜32をパタ-ニングしてストライプ状のW電極34を形成し、その上に、第1絶縁膜36、発光膜、第2絶縁膜およびITO膜を順に形成する。次に、ITO薄膜をパタ-ニングして、W電極34のストライプ状のパタ-ンと直交するストライプ状の水平パタ-ンを有するITO電極を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上にタングステン電極膜を形成し、該タングステン電極膜をパタ-ニングしてストライプ状のタングステン電極を形成することにより、薄膜ELパネルのタングステン電極を形成するにあたり、前記基板およびタ-ゲットを設置した真空槽内の到達真空度を9×10-7Torr以下にした後、該真空槽内にArガスを導入し、Ar雰囲気中で前記タ-ゲットをスパッタリングして、前記基板上にタングステン電極膜を形成することを特徴とする薄膜ELパネルのタングステン電極の形成方法。
IPC (2件)：
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