特許

J-GLOBAL ID：200903095375405012

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 山田 徹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328611
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150857
出願日： 1998年11月18日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 光電変換部から電荷転送部への信号読み出し特性のバラツキが少なく、光電変換部で発生する暗電流や白キズを抑制した、広ダイナミックレンジ、高感度、低スミアのインターライン転送型の固体撮像装置及びその製法を提供する。【解決手段】 信号電荷の読み出し電極を兼ねる電荷転送電極510は、光電変換部上の領域518とゲート電極膜を行方向に分割する領域519が互いに電荷転送電極509上で重なるように形成され、光電変換部506は、光電変換部上の領域518のゲート電極膜をエッチング除去する時に使用したフォトレジストをマスクとしてn型不純物を高エネルギー(200keV以上)でイオン注入することにより、またp型領域511は、フォトレジストを剥離した後、光電変換部上の領域518が除去されたゲート電極膜をマスクとしてp型不純物を低エネルギー(10〜100keV)で傾斜イオン注入することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体層の表面領域に形成され第2導電型半導体領域を有する光電変換部と、前記第1導電型半導体層の表面領域に前記光電変換部の隙間に形成され、前記光電変換部で発生した信号電荷を受け転送する第2導電型の電荷転送部と、前記光電変換部で発生した信号電荷を前記電荷転送部に読み出す電荷読み出し部と、前記電荷読み出し部および前記電荷転送部の上に、ゲート絶縁膜を介して形成された電荷転送電極とを有する固体撮像装置において、前記電荷転送電極のうち前記光電変換部で発生した信号電荷を前記電荷転送部に読み出す読み出し電極を兼ねる電荷転送電極は、前記光電変換部上の除去された領域と前記電荷転送電極を分割するために除去された領域が前記電荷転送電極上で重なるように構成されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/265 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F ,  H01L 21/265 F

Fターム (25件)：

4M118AA02 ,  4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118EA17 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB11 ,  5C024AA01 ,  5C024CA02 ,  5C024CA15 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-207075
  
• 特開平2-018964
  
• 固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-141853   出願人：株式会社東芝