特許

J-GLOBAL ID：200903095381254794

半導体装置及びその製造方法

発明者： 北出 秋夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041454
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238806
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 安定した電気的特性を可能とする半導体装置及び高耐圧半導体素子領域形成のためにマスク数を増加させることなく製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも第1、第2のウエル領域と第3、第4のウエル領域とが異なる耐圧の回路素子を有し、半導体基板1に第1のNウエル領域2と第2のPウエル領域4を形成後素子分離領域を該Nウエル領域とPウエル領域との間に形成する工程と、第1のNウエル領域に高耐圧PMOSの閾値設定用のフォトレジストをマスクとしてP型不純物をイオン注入で行い低濃度の第3のNウエル8を形成し、マスクを用いて高耐圧PMOSの閾値設定のイオン注入を行う工程と、第2のPウエル領域に高耐圧の閾値設定用のフォトレジストをマスクとしてN型不純物をイオン注入で行い低濃度の第4のPウエル9を形成し、マスクを用いて高耐圧NMOSの閾値設定のイオン注入を行う工程により製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に耐圧の異なる回路素子を有する半導体装置において、半導体基板に第1導電型の第1のウエル領域と第2導電型の第2のウエル領域を有し、前記第1のウエル領域に第1導電型の第3のウエル領域を有し、前記第2のウエル領域に第2導電型の第4のウエル領域を有し、少なくとも前記第1、第2のウエル領域と第3、第4のウエル領域とが異なる耐圧の回路素子を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-159270
  
• 特開昭49-130187
  
• 半導体素子のウェル形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-129674   出願人：三星電子株式会社
• 特開平3-159270
  
• 特開昭49-130187