特許
J-GLOBAL ID：200903095385659993
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-107914
公開番号（公開出願番号）：特開平11-304621
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 静特性や温度特性のばらつきが低減して、さらに不良品の発生が低減し歩留まり向上する半導体圧力センサを提供すること。【解決手段】 半導体圧力センサ10において、圧力導入ノズル14の導入口とセンサチップの圧力検出面18とを目合わせした状態で、シリコンダイアフラム11Aのメサ構造11Bの底面とステム基台15とは密着接合され、密着接合はセンサベアチップ11とステム基台の温度差から生じる歪みに対しての応力緩衝性を有しかつセンサベアチップのキャビティとセンサベアチップにつながる連通口内の密閉性を有する弾性密着層中に所定以上の硬度を有する膜厚制御体を分散させた積層接合とする構成とする。
請求項（抜粋）：
圧力を検出するためのシリコンダイアフラムが中心部に設けられて周辺部にメサ構造が設けられたセンサベアチップと、当該シリコンダイアフラムが圧力検出面に圧力を導くための圧力導入ノズルを有しかつ当該シリコンダイアフラムが電気的に接続されて圧力信号を回路基板に伝えるための端子を有するステム基台とから形成されている半導体圧力センサにおいて、当該圧力導入ノズルの導入口が、当該センサベアチップの圧力検出面に目合わせされた状態で、当該メサ構造の底面が当該ステム基台に弾性密着層を介して接合され、当該弾性密着層が、当該センサベアチップと当該ステム基台の温度差から生じる当該センサベアチップの熱応力歪みに対しての応力緩衝機能を有し、当該センサベアチップのキャビティと当該センサベアチップとにつながる連通口内の密閉機能を有し、所定硬度を有する膜厚制御体が分散されて形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01L 13/06 R
, H01L 29/84 B
