特許
J-GLOBAL ID：200903095385697208
量子井戸構造を有するSi系半導体デバイスおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314074
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124453
出願日： 2001年10月11日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 Si系半導体を用いて量子井戸構造を形成できる技術を提供する。【解決手段】 Si系半導体基板200を準備し、酸素イオン注入と、Si系半導体層のエピタキシャル成長とを必要に応じて繰り返す。その後、熱処理を行うことによって、SiO2 層310,320を障壁層とし、Si系半導体層210を井戸層とする量子井戸構造を形成する。
請求項（抜粋）：
量子井戸構造を有するSi系半導体デバイスの製造方法であって、(a)SiとSiGeとのうちから選ばれたSi系半導体の単結晶で構成されたSi系基板を準備する工程と、(b)前記Si系基板に、酸素イオンを所定のエネルギと注入量で少なくとも1回注入する工程と、(c)前記酸素イオンが注入された前記Si系基板を熱処理することによって前記Si系基板の表面から離れた位置に少なくとも1つのSiO2 層を形成するとともに、前記少なくとも1つのSiO2 層に接する位置にSi系半導体の単結晶で構成された層状または粒子状の半導体領域を形成し、これによって、前記SiO2 層と前記半導体領域とを含む量子井戸構造を形成する工程と、を備えることを特徴とするSi系半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/165
, H01L 21/265
, H01L 29/06 601
, H01L 33/00
H01L 29/165
, H01L 29/06 601 W
, H01L 33/00 A
, H01L 21/265 J
5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA66
, 5F041CA71
, 5F041CA73
