半導体を主原料とした基板上でのペロブスカイト酸化物の結晶異方性の制御

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562590
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521309
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】いくつかの半導体、または位相変調器や干渉計部品のような電気光学的応用のいずれにも使用可能な結晶構造(20、60または220)およびデバイス(120、140、180または270)であって、半導体を主原料とした基板(22、62、142、182、222または272)と、基板の表面上にエピタキシー成長により配置された酸化物結晶材料の薄膜(24、64、144、186または224)を含む。この薄膜は下層にある基板に結合し、それにより薄膜の実質的にすべての単位セルの幾何構造が基板表面に関して予め定められた配向に配列される。薄膜の単位セル幾何構造の予め定められ、薄膜と基板表面との界面において格子がストレスまたは歪みを受けるために生じるものであり、単位セルの、双極子モーメントのような、方向依存的性質の予め傾向の定められた配向が原因となる。単位セル幾何構造の予め定められた傾向はこの構造を具体化したデバイスが動作するときにこの構造の特性を利点のあるものにすることができる。

請求項（抜粋）：

表面を有する半導体を基本材料とする基板と、基板表面にエピタキシー成長により被覆された酸化物結晶薄膜であって、酸化物結晶が方向依存的な性質を有する異方性挙動を示すかまたは示し得る単位セルを含み、かつその薄膜が基板/薄膜界面において平面内歪みにさらされ、それにより薄膜の実質的にすべての単位セルがそれぞれの単位セルの方向依存的性質が基板表面に対して前もって定められた配向で配列されるように平面内歪みにより影響される幾何的形状を有する酸化物結晶薄膜とを備えた構造。

IPC (10件)：

C30B 29/32 , G02F 1/035 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 29/78 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01S 3/10

FI (7件)：

C30B 29/32 C , G02F 1/035 , H01S 3/10 Z , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 444 A

Fターム (34件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA03 , 2H079DA22 , 2H079EA03 , 4G077AA03 , 4G077BC42 , 4G077DA01 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA11 , 5F072AK10 , 5F072YY17 , 5F083AD21 , 5F083FR05 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083PR25 , 5F101BA62 , 5F101BH11 , 5F140AC16 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA10 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD13 , 5F140BE09

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