特許

J-GLOBAL ID：200903095391380135

酸化物薄膜の製造方法及び酸化物薄膜を用いた超電導体構造物およびその製造方法

発明者： 金 錫範 ,  前田 敏彦 ,  松本 要 ,  山際 勝也 ,  須賀 俊裕 ,  山田 容士 ,  平林 泉
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  日本特殊陶業株式会社 ,  中部電力株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076151
公開番号（公開出願番号）：特開2002-279838
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 結晶性に優れた種膜を形成することにより、溶液成長法による123型超電導膜の作製を可能とした酸化物超電導体構造物およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する基板と、この基板上に形成された、REGaO3 (REは、La,Nd,Pr,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Yb,またはLuを示す)からなる結晶質の酸化物層と、この酸化物層上に形成された酸化物超電導体を具備することを特徴とする。結晶質酸化物層は、アモルファス酸化物層を形成し、これをアモルファス酸化物層の形成温度よりも高温でアニールして結晶化させることにより得られる。

請求項（抜粋）：

RE(ただし、RE は La、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Lu のうちより選ばれる 1 種の元素あるいは 2 種以上の元素の組み合わせを表す)、Ga、Oよりなるアモルファス酸化物を形成する工程と、該アモルファス酸化物を、該アモルファス酸化物の形成温度よりも高い温度でアニールすることにより結晶化させて結晶質 REGaO3 を形成する工程と、を具備する結晶質 REGaO3 膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 565 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA

FI (3件)：

H01B 13/00 565 D ,  C30B 29/22 501 C ,  H01B 12/06 ZAA

Fターム (12件)：

4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077CG01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB21 ,  5G321DB38