特許

J-GLOBAL ID：200903095399312201

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 鈴木 龍也
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038942
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214037
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 帰還ビームが光ピックアップに再入射しないように帰還ビームを反射する面をサブマウントの端面に形成した半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 サブマウント3は、上記半導体レーザ素子2からのレーザビームの出射方向側の端面3Bのレーザビーム7Cが帰還する位置に、帰還するレーザビーム7Cの進行方向に対して所定の角度傾斜した傾斜部4を端面3Bより突出するように形成してある。厚みが薄い第1のダイシングソーを用いてサブマウント3の基板をハーフカットし、この第1のダイシングソーよりも厚みが厚く先端部がV字形状を成す第2のダイシングソーを用いて第1のダイシングソーでハーフカットした位置を裏面からフルカットして端面3を形成する。

請求項（抜粋）：

サブマウント上に半導体レーザ素子を設けた半導体レーザ装置において、前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子からの出射レーザビームの出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置に、前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜した面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形成してあることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/101 ,  H01L 21/301 ,  H01S 3/103

FI (3件)：

H01S 3/101 ,  H01S 3/103 ,  H01L 21/78 Q