特許

J-GLOBAL ID：200903095400993331

CMOS集積回路装置及びその製造方法

発明者： 立岡 真人 ,  佐藤 富夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222109
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153848
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 新規な観点に基づく電源配線のノイズ低減策を備えた動作周波数250MHz以上のCMOS集積回路装置を提供する。【構成】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された電源パッドと、前記半導体基板上に形成されたCMOS素子を含む回路素子と、前記回路素子の1つと前記電源パッドを接続するための電源配線と、前記電源配線に接続され、前記回路素子には接続されず、電源配線との間にノイズ位相差を形成するための移相分岐部とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された電源パッドと、前記半導体基板上に形成されたCMOS素子を含む回路素子と、前記回路素子の1つと前記電源パッドとを接続するための電源配線と、前記電源配線に接続され、前記回路素子には接続されず、電源配線との間にノイズ位相差を形成するための移相分岐部とを有するCMOS集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03F 3/60 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/687

FI (2件)：

H01L 27/08 321 H ,  H03K 17/687 F