集積回路および形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本城雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086523
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】誘導及び容量素子を含むと共に縮小した半導体ダイ面積を有する集積回路及びその形成方法を提供する。【構成】誘電体材料層(36)により第2導電材料層(39)から分離される、第1導電材料層(30)で、集積回路を形成する。この第1導電材料層(30)をパターニングして、コンデンサ(22,50,62,72)の第1プレート(32,59)を形成する。電気相互接続部(33,63)をそれぞれ第1プレート(32,59)内に形成する。誘電体材料層(36)内に通路(37)を形成する。第2導電材料層(39)をパターニングして、コンデンサ(22,50,62,72)の第2プレート(42,56,66,76)及び平面螺旋状インダクタ(21,51,61,71)を形成する。平面螺旋状インダクタ(21,51,61,71)は、コンデンサ(22,50,62,72)の第2プレート(42,56,66,76)によって包囲される。

請求項（抜粋）：

第1導電材料(30);第1領域(14)と第2領域(15)とから成り、前記第1領域(14)が実質的に前記第2領域(15)を包囲する第2導電材料(39);および前記第1導電材料(30)と前記第2導電材料(39)との間に形成された誘電体材料(36);から成ることを特徴とする集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01G 4/40

FI (3件)：

H01L 27/04 L , H01G 4/40 321 A , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-355902
特開平3-019358
特開平2-072660

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