導波路作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-224055
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】生産性のよい導波路作成方法を提供する。【構成】表面がシリコンである基板110(例えば、シリコン基板、シリコン膜が設けられた基板など)上に、導波路パターンに対応した溝190を形成する第1の工程(図1(a)〜(c))と、溝が形成されたシリコンを酸化して下部クラッド層320を形成する第2の工程(図1(d))と、下部クラッド層320上に不純物(燐、ゲルマニウムなど酸化シリコンの屈折率を上げるもの)を含む酸化シリコンからなるコア層330を形成する第3の工程と、コア層330上に上部クラッド層160を形成する第4の工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面がシリコンである基板上に、導波路パターンに対応した所定のパターンの溝を形成する第1の工程と、前記溝が形成された前記シリコンを酸化して下部クラッド層を形成する第2の工程と、前記下部クラッド層上に不純物を含む酸化シリコンからなるコア層を形成する第3の工程と、前記コア層上に上部クラッド層を形成する第4の工程とを有することを特徴とする導波路作製方法。

前のページに戻る