特許
J-GLOBAL ID：200903095414407699

膜パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、及び薄膜トランジスタ

発明者：
長谷井 宏宣

長谷井 宏宣 について

, 
平井 利充

平井 利充 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-250291
公開番号（公開出願番号）：特開2005-052835
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 インクジェット法により形成される膜パターンに、断線や短絡等の欠陥の発生を抑止する膜パターンの形成方法及び形成装置、並びに導電膜配線等を提供する。【解決手段】 導電性微粒子を含有した液体からなる液滴を基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、液滴を吐出する前に、基板上に表面処理を行う表面処理工程を備えてなり、表面処理工程によって、基板上の液体に対する接触角が設定される。特に、接触角は、15°以上45°以下に設定される。【選択図】 図18
請求項（抜粋）：
導電性微粒子を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、 前記液滴を吐出する前に、前記基板の表面にプラズマ処理を行うことによって撥液化処理をする撥液化処理工程と、 酸素を反応ガスとするプラズマ処理を行うことによって前記基板上の所定の領域を親液化処理をする親液化処理工程と、 を備えてなり、前記撥液化処理工程と前記親液化処理工程とによって、前記基板上の前記液体に対する接触角が設定されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (7件)：
B05D3/04 ,  B05D5/12 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786
FI (7件)：
B05D3/04 C ,  B05D5/12 B ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 612A ,  H01L21/88 B ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K
Fターム (62件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  4D075AC06 ,  4D075AC93 ,  4D075BB49X ,  4D075CA22 ,  4D075DA06 ,  4D075DC24 ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA08 ,  5B035CA23 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH38 ,  5F033HH40 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV15 ,  5F033XX31 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許5132248号明細書
審査官引用 (2件)

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