特許

J-GLOBAL ID：200903095414938260

半導体装置の製法

発明者： 桑村 誠
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005834
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208536
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】配線回路基板上に複数の半導体素子を一度に樹脂封止することができる生産効率の高い半導体装置の製法を提供する。【解決手段】配線回路基板2の配線電極3に、所定間隔に位置決めされた複数の半導体素子5の電極部7を当接させて上記配線回路基板2に上記複数の半導体素子5を搭載した半導体素子5搭載済み配線回路基板2を準備する。ついで、封止用樹脂組成物である円柱状のペレット8を上記複数の半導体素子5の間に載置して加熱溶融することにより、上記配線回路基板2と上記複数の半導体素子5との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填し硬化させ、上記配線回路基板2と複数の半導体素子5で形成される個々の空隙をそれぞれ樹脂封止する。

請求項（抜粋）：

配線回路基板の配線電極に、所定間隔で位置決めされた複数の半導体素子の電極部を当接させて上記基板に上記複数の半導体素子を搭載した半導体素子搭載済み配線回路基板を準備し、常温で固体の封止用樹脂組成物を上記複数の半導体素子のうちの任意の半導体素子の間に載置して加熱溶融することにより、上記配線回路基板と上記複数の半導体素子との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填し硬化させ、少なくとも、上記配線回路基板と複数の半導体素子で形成される個々の空隙をそれぞれ樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 23/30 R

Fターム (15件)：

4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA03 ,  4M109DB07 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB12 ,  4M109EC20 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA03 ,  5F061CB03 ,  5F061DE03