特許
J-GLOBAL ID：200903095419537043
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-169035
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022511
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 シリコンダイアフラムの厚さがばらつくことなく測定精度が安定して、かつ高温状態でも使用できる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 支持部1と、絶縁層21を一面側に固着し一面側端部が支持部1に支持されて測定対象である流体の圧力でもって撓みを生じるシリコンダイアフラム部2と、シリコンダイアフラム部2の他面側に配置されて撓みによる抵抗変化を電気信号に変換するピエゾ抵抗3とを備え、流体の圧力を測定する半導体圧力センサにおいて、前記シリコンダイアフラム部2は、前記ピエゾ抵抗3を外囲して前記絶縁層21に連通する絶縁部4が設けられた構成にしてある。
請求項（抜粋）：
支持部と、絶縁層を一面側に固着し一面側端部が支持部に支持されて測定対象である流体の圧力でもって撓みを生じるシリコンダイアフラム部と、シリコンダイアフラム部の他面側に配置されて撓みによる抵抗変化を電気信号に変換するピエゾ抵抗とを備え、流体の圧力を測定する半導体圧力センサにおいて、前記シリコンダイアフラム部は、前記ピエゾ抵抗を外囲して前記絶縁層に連通する絶縁部が設けられたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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