多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085129
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032238
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】低誘電率、低誘電損の特性を併せもつ無機材料であるシリカを、低抵抗導体である金、銀、銅等と同時焼成可能となる、これら金属の融点以下で焼結させることを目的とする。【構成】平均粒径が数nmから数十nmである非晶質シリカ超微粉末よりなる成形体を作製し、この成形体を水蒸気を含む雰囲気中、800°C以上1200°C以下で焼成することにより、十分に焼結し強度のあるシリカ焼結体が得られる。【効果】上記の方法により得られたシリカ焼結体は十分な強度を示し、誘電率は1MHzにおいて4.0以下であった。また、焼成温度域が低温であるため、低抵抗導体との同時焼成が可能となる。

請求項（抜粋）：