特許

J-GLOBAL ID：200903095427855151

シリコンウェーハの評価方法

発明者： 梅野 繁 ,  中島 豊 ,  藤川 孝 ,  宝来 正隆 ,  定光信介
出願人/特許権者： 九州電子金属株式会社 ,  住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112292
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハの表面状態、熱履歴を変えることなく、簡便に初期酸化膜耐圧良品率を推定できるシリコンウェーハの評価方法の提供。【構成】 赤外線散乱トモグラフ法にてあるウェーハの赤外散乱体密度を測定し、またウェーハ上に所定の厚さの酸化膜と所定の面積の電極を有する多数のMOSキャパシターを作製して初期酸化膜耐圧良品率を測定し、図1の赤外散乱体密度と初期酸化膜耐圧良品率の相関関係を明らかにし、初期酸化膜耐圧良品率が未知のシリコンウェーハの赤外散乱体密度を測定し、該相関関係を適用することによって初期酸化膜耐圧良品率を推定する。【効果】 赤外散乱体密度は完全な非破壊検査にて測定でき、被検査シリコンウェーハの表面状態、熱履歴に関して初期の状態を保つことができる。

請求項（抜粋）：

予め測定された赤外線散乱トモグラフ法による欠陥密度と初期酸化膜耐圧良品率の相関関係を用いて、初期酸化膜耐圧良品率未知のシリコンウェーハの赤外散乱体密度から当該シリコンウェーハの初期酸化膜耐圧良品率を推定することを特徴とするシリコンウェーハの評価方法。