特許

J-GLOBAL ID：200903095430062758

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 湯田坂 一夫 ,  下田 達也 ,  関 俊一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000001985
公開番号（公開出願番号）：WO2000-059040
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月05日
要約：

【要約】薄膜トランジスタを構成するシリコン膜、絶縁膜、導電膜などの薄膜の全部又は一部を液体材料を用いて形成する。その主たる方法は、液体材料を基板に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を熱処理することにより所望の薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極用導電膜と、層間絶縁膜と、電極及び配線用導電膜の各薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記シリコン膜の形成がシリコン原子を含む液体材料を塗布して塗布膜を形成する工程と、次に該塗布膜をシリコン膜にする熱処理工程及び/または光照射工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/316

FI (10件)：

H01L 29/78 618 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/316 P ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 G