特許

J-GLOBAL ID：200903095430509469

半導体装置の製造方法

発明者： 境 春彦 ,  兵藤 治雄 ,  藤井 茂
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373086
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176121
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】支持基板を薄型化し、微細半導体チップの実装に適した小型で薄型のパッケージを実現できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】2枚の導電箔82、83とその間に配置された熱可塑性樹脂フィルム81を熱圧着で一体化して支持基板80を形成し、この熱圧着の時に導電材87も熱可塑性樹脂フィルム81を貫通させてビアホールなしで両導電箔82、83を電気的に接続する導電材87を形成する。導電箔82で各電極を形成して半導体チップ88の実装を行う。そして最終工程で導電箔83で各接続電極を形成するので、ボンディング時の半導体チップ88の上下の沈みを防止する。これにより極めて薄型の実装構造を簡単な構造で実現でき、微小半導体チップの実装に最適の半導体装置が実現される。

請求項（抜粋）：

第1の導電箔と、軟質樹脂と、導電材を所望の位置に付着した第2の導電箔とを熱圧着して前記導電材を前記軟質樹脂を貫通させて前記第1および第2の導電箔を電気的に接続する支持基板を形成する工程と、前記第1の導電箔で固着電極および取り出し電極を形成する工程と、前記固着電極に導電ペーストを用いて半導体素子を固着する工程と、前記半導体素子の電極と前記取り出し電極をボンディング接続する工程と、前記第2の導電箔を露出して全体を絶縁樹脂で被覆する工程と、前記第2の導電箔で前記固着電極および取り出し電極に対応し前記導電材で電気的に接続された接続電極を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/14

FI (5件)：

H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 23/12 W ,  H01L 23/14 R

Fターム (2件)：

5F044AA02 ,  5F044CC07