特許

J-GLOBAL ID：200903095430713244

電界効果型半導体装置

発明者： 鯨井 裕 ,  村上 英一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005643
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216376
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】SiGe/Siヘテロ構造及び不純物のδドーピングのプロファイルを崩さずに、電気的特性の優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【構成】δドーピング及びSi/SiGeヘテロ接合を有する半導体上に、熱酸化膜15及び堆積による絶縁膜16の2層からなるゲート絶縁膜を形成し、MOSFETを作製する。【効果】酸化膜を形成するときの熱処理における低温化,短時間化によりSiGe/Siヘテロ構造及びδドーピングのプロファイルを崩さずに電気的特性の優れたゲート絶縁膜を作製できる。

請求項（抜粋）：

不純物分布の拡がりが10nm以下である不純物層を有する半導体基体上に、前記半導体基体をその成分の一つとする酸化膜と、堆積した絶縁膜とを有することを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 H