特許

J-GLOBAL ID：200903095430879800

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法

発明者： ジャマル・ラムダニ ,  ラビンドラナス・ドローパッド ,  ツィイ・ジミー・ユ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322458
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189312
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 薄くて安定したシリコンとのケイ化物インタフェースを作成する方法を提供する。【解決手段】 半導体構造を作成する方法は、表面12を有するシリコン基板10を設ける段階と、シリコン基板10の表面12上に原子層付着(ALD)によって、ケイ化物材料からなるシード層20;20’を形成する段階と、原子層付着(ALD)によってシード層20;20’の上に1層以上の高誘電率酸化物40を形成する段階とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体構造を作成する方法であって:表面(12)を有するシリコン基板(10)を設ける段階;前記シリコン基板の前記表面上に原子層付着によりシード層(20)を形成する段階;および原子層付着により、前記シード層上に1層以上の高誘電率酸化物(40)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする半導体構造作成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/16 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/316 X ,  C30B 29/16 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371