半導体ウエハのめっき方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石黒健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168160
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031834
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】めっき浴に添加剤を用いることなく、均一および平滑なめっき被膜を形成することのできる半導体ウエハ1のめっき方法を提供すること、【構成】半導体ウエハ1は、被めっき面を下向きにしてめっきセル2にセットされ、押さえ治具5によって押圧されている。めっきセル2の内部には、多数(9個以上)の噴流口3aを有する多孔ノズル3が配置されて、ポンプにより送られためっき液を半導体ウエハ1の被めっき面に向けて噴流する。この多孔ノズル3は、各噴流口3aと半導体ウエハ1との間隔が半導体ウエハ1の径寸法以下となるように設置されている。また、多孔ノズル3の内部には、半導体ウエハ1と略同一径の円形状を成す銅電極7が半導体ウエハ1と平行に配置されている。めっき液は、硫酸と硫酸銅とを水に溶かした溶液を使用する。

請求項（抜粋）：

陽極と対向して配置された半導体ウエハの被めっき面に、多孔ノズルよりめっき液を噴流させて前記被めっき面に金属めっき層を形成する半導体ウエハのめっき方法において、前記多孔ノズルより噴流するめっき液の噴流流量を毎分30リットル以上とし、且つ前記被めっき面の電流密度を12.5A/dm2 以上とすることを特徴とする半導体ウエハのめっき方法。

IPC (4件)：

H01L 21/321 , C25D 3/38 101 , C25D 5/08 , C25D 7/12

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-061089
特開平3-247792
特開平1-289143

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